RS1E220ATTB1 与 BSC084P03NS3 G 区别
| 型号 | RS1E220ATTB1 | BSC084P03NS3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-RS1E220ATTB1 | A-BSC084P03NS3 G |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 5.15mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 6.1mΩ |
| 上升时间 | - | 134ns |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3W(Ta) | 69W |
| Qg-栅极电荷 | - | 58 nC |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 4.1mOhm@22A,10V | - |
| 栅极电压Vgs | 2.5V@2mA | 3.1V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 33S |
| 典型关闭延迟时间 | - | 33ns |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | 8-HSOP | - |
| 连续漏极电流Id | 22A(Ta),76A(Tc) | 78.6A |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 配置 | - | Single |
| 系列 | - | OptiMOSP3 |
| 通道数量 | - | 1 Channel |
| 长度 | - | 5.9mm |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 栅极电荷Qg | 130nC@10V | - |
| 下降时间 | - | 8ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 16ns |
| 高度 | - | 1.27mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RS1E220ATTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
22A(Ta),76A(Tc) P-Channel 2.5V@2mA 3W(Ta) 8-HSOP 150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
BSC084P03NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 78.6A 69W 6.1mΩ 30V 3.1V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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